Samsung toodab masstootmise valdkonna väikseimat DDR5 DRAM-i, teatas ettevõte teisipäeval.
Uus 14 nm EUV DDR5 DRAM on vaid 14 nanomeetrit ja sellel on viis kihti äärmusliku ultraviolettkiirguse (EUV) tehnoloogiat. See võib saavutada kiiruse kuni 7,2 gigabitti sekundis, mis on rohkem kui kaks korda suurem kui DDR4 kiirus. Samsung väidab ka, et tema uus EUV-tehnoloogia annab DDR5 DRAM-ile suurima bittiheduse, suurendades samal ajal tootlikkust 20% ja vähendades energiatarbimist 20%.
EUV muutub üha olulisemaks, kuna DRAM-i suurus aina kahaneb. See aitab parandada mustri täpsust, mis on vajalik suurema jõudluse ja suurema saagikuse saavutamiseks, ütles Samsung.14 nm DDR5 DRAM-i äärmuslik miniaturiseerimine ei olnud võimalik enne tavapärase argoonfluoriidi (ArF) tootmismeetodi kasutamist ja ettevõte loodab, et selle uus tehnoloogia aitab lahendada vajadust suurema jõudluse ja võimsuse järele sellistes valdkondades nagu 5G ja tehisintellekt.
Edaspidi ütles Samsung, et soovib luua 24 Gb 14 nm DRAM-kiibi, mis aitaks vastata ülemaailmsete IT-süsteemide nõudmistele. Samuti kavatseb ettevõte laiendada oma 14 nm DDR5 portfelli, et toetada andmekeskusi, superarvuteid ja ettevõtte serverirakendusi.
